BFQ18 Todos los transistores

 

BFQ18 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFQ18
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1700 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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BFQ18 Datasheet (PDF)

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BFQ18

BFQ18ANPN 4 GHz wideband transistorRev. 03 28 September 2007 Product data sheetIMPORTANT NOTICEDear customer,As from October 1st, 2006 Philips Semiconductors has a new trade name- NXP Semiconductors, which will be used in future data sheets together with new contactdetails.In data sheets where the previous Philips references remain, please use the new links asshown below.

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BFQ18

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFQ18ANPN 4 GHz wideband transistorSeptember 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 4 GHz wideband transistor BFQ18ADESCRIPTION PINNINGNPN transistor in a plastic SOT89PIN DESCRIPTIONenvelope intended for application inCode: FFthick and thin-film circuits. It i

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History: SPS4084 | KST1623L7 | MPQ3762 | PBSS4021PT | RN1110MFV | BCX71G | KRA312

 

 
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