BFQ18 Todos los transistores

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BFQ18 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFQ18

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 1700 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 30

Empaquetado / Estuche: SP0

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BFQ18 Datasheet (PDF)

1.1. bfq18a cnv 2.pdf Size:33K _philips

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFQ18A NPN 4 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 4 GHz wideband transistor BFQ18A DESCRIPTION PINNING NPN transistor in a plastic SOT89 PIN DESCRIPTION envelope intended for application in Code: FF thick and thin-film circuits. It is

1.2. bfq18a n.pdf Size:227K _philips

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BFQ18A NPN 4 GHz wideband transistor Rev. 03 28 September 2007 Product data sheet IMPORTANT NOTICE Dear customer, As from October 1st, 2006 Philips Semiconductors has a new trade name - NXP Semiconductors, which will be used in future data sheets together with new contact details. In data sheets where the previous Philips references remain, please use the new links as shown below. http

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