BFQ18. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFQ18

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1700 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для BFQ18

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFQ18 даташит

 0.1. Size:227K  philips
 bfq18a n.pdf pdf_icon

BFQ18

BFQ18A NPN 4 GHz wideband transistor Rev. 03 28 September 2007 Product data sheet IMPORTANT NOTICE Dear customer, As from October 1st, 2006 Philips Semiconductors has a new trade name - NXP Semiconductors, which will be used in future data sheets together with new contact details. In data sheets where the previous Philips references remain, please use the new links as shown below.

 0.2. Size:33K  philips
 bfq18a cnv 2.pdf pdf_icon

BFQ18

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFQ18A NPN 4 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 4 GHz wideband transistor BFQ18A DESCRIPTION PINNING NPN transistor in a plastic SOT89 PIN DESCRIPTION envelope intended for application in Code FF thick and thin-film circuits. It i

Другие транзисторы: BFQ135, BFQ136, BFQ149, BFQ161, BFQ162, BFQ163, BFQ17, BFQ17P, 13007, BFQ181, BFQ182, BFQ18A, BFQ19, BFQ193, BFQ194, BFQ196, BFQ19P