BFQ59 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFQ59

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.45 W

Tensión colector-base (Vcb): 27 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 1 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.035 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: MM17

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BFQ59 datasheet

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BFQ59

isc Silicon NPN RF Transistor BFQ591 DESCRIPTION High Power Gain High Current Gain Bandwidth Product Low Noise Figure Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in MATV or CATV amplifiers and RF communications subscribers equipment. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Coll

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