BFQ59. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFQ59

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 27 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: MM17

 Аналоги (замена) для BFQ59

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFQ59 даташит

 0.1. Size:213K  inchange semiconductor
 bfq591.pdf pdf_icon

BFQ59

isc Silicon NPN RF Transistor BFQ591 DESCRIPTION High Power Gain High Current Gain Bandwidth Product Low Noise Figure Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in MATV or CATV amplifiers and RF communications subscribers equipment. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Coll

Другие транзисторы: BFQ51C, BFQ52, BFQ53, BFQ54, BFQ54T, BFQ56, BFQ57, BFQ58, BD333, BFQ60, BFQ61, BFQ62, BFQ63, BFQ64, BFQ645, BFQ64P, BFQ65