BFQ68 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFQ68

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 4.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO128

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BFQ68 datasheet

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BFQ68

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFQ68 NPN 4 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 4 GHz wideband transistor BFQ68 DESCRIPTION PINNING NPN transistor mounted in a four-lead PIN DESCRIPTION dual-emitter SOT122A envelope with 1 collector a ceramic cap. All leads are is

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