BFQ68. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFQ68

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 4.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO128

 Аналоги (замена) для BFQ68

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFQ68 даташит

 ..1. Size:61K  philips
 bfq68 cnv 2.pdf pdf_icon

BFQ68

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFQ68 NPN 4 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 4 GHz wideband transistor BFQ68 DESCRIPTION PINNING NPN transistor mounted in a four-lead PIN DESCRIPTION dual-emitter SOT122A envelope with 1 collector a ceramic cap. All leads are is

Другие транзисторы: BFQ63, BFQ64, BFQ645, BFQ64P, BFQ65, BFQ66, BFQ67, BFQ67W, 2N5401, BFQ69, BFQ70, BFQ71, BFQ72, BFQ73, BFQ73S, BFQ74, BFQ75