BFQ79 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFQ79

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.29 W

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.075 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4200 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO131

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BFQ79 datasheet

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BFQ79

BFQ790 High Linearity RF Medium Power Amplifier Product description The BFQ790 is a single stage high linearity high gain driver amplifier based on Infineon's reliable and cost effective NPN silicon germanium technology. Not internally matched, the BFQ790 provides flexibility in high linearity applications. Features High 3rd order intercept point OIP3 of 41 dBm @ 5 V, 250 mA in 1850

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