Биполярный транзистор BFQ79 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFQ79
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.29 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.075 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO131
BFQ79 Datasheet (PDF)
0.1. Size:479K infineon
bfq790.pdf
bfq790.pdf
BFQ790High Linearity RF Medium Power AmplifierProduct descriptionThe BFQ790 is a single stage high linearity high gain driver amplifier based on Infineon's reliable and costeffective NPN silicon germanium technology. Not internally matched, the BFQ790 provides flexibility in highlinearity applications.Features High 3rd order intercept point OIP3 of 41 dBm @ 5 V, 250 mA in 1850
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050