BFQ81 Todos los transistores

 

BFQ81 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFQ81
   Código: RA_RAs
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.28 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 16 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5800 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO236
 

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BFQ81 Datasheet (PDF)

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BFQ81

BFQ 81NPN Silicon RF Transistor For low-noise amplifiers up to 2GHz and broadband analog and digital applications in telecommunications systems at collector currents from 0.5 mA to 20 mA.ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBFQ 81 RAs Q62702-F1049 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23Maximum Rating

Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: BC818K-16 | KT698G | KTD1937

 

 
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