BFQ81 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFQ81

Código: RA_RAs

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.28 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 16 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5800 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO236

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BFQ81 datasheet

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BFQ81

BFQ 81 NPN Silicon RF Transistor For low-noise amplifiers up to 2GHz and broadband analog and digital applications in telecommunications systems at collector currents from 0.5 mA to 20 mA. ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFQ 81 RAs Q62702-F1049 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Rating

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