BFQ81. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFQ81

Маркировка: RA_RAs

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.28 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5800 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для BFQ81

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFQ81 даташит

 ..1. Size:56K  siemens
 bfq81.pdf pdf_icon

BFQ81

BFQ 81 NPN Silicon RF Transistor For low-noise amplifiers up to 2GHz and broadband analog and digital applications in telecommunications systems at collector currents from 0.5 mA to 20 mA. ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFQ 81 RAs Q62702-F1049 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Rating

Другие транзисторы: BFQ73S, BFQ74, BFQ75, BFQ76, BFQ77, BFQ78, BFQ79, BFQ80, BC557, BFQ82, BFQ85, BFQ86, BFQ88, BFQ88A, BFQ88B, BFQ89, BFQ98