BFR53R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFR53R

Código: N4

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 18 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1.3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: SOT23

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BFR53R datasheet

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BFR53R

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFR53 NPN 2 GHz wideband transistor 1997 Oct 28 Product specification Supersedes data of September 1995 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 2 GHz wideband transistor BFR53 FEATURES PINNING fpage 3 Very low intermodulation distortion PIN DESCRIPTION Very high power gain. 1 base 2 emi

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