BFR53R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFR53R

Маркировка: N4

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BFR53R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFR53R даташит

 9.1. Size:75K  philips
 bfr53 2.pdf pdf_icon

BFR53R

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFR53 NPN 2 GHz wideband transistor 1997 Oct 28 Product specification Supersedes data of September 1995 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 2 GHz wideband transistor BFR53 FEATURES PINNING fpage 3 Very low intermodulation distortion PIN DESCRIPTION Very high power gain. 1 base 2 emi

Другие транзисторы: BFR44A, BFR44B, BFR44C, BFR48, BFR49, BFR50, BFR51, BFR53, BD222, BFR54, BFR56, BFR57, BFR58, BFR59, BFR60, BFR61, BFR62