BFR90B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFR90B

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 2500 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: TO51

 Búsqueda de reemplazo de BFR90B

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BFR90B datasheet

 9.1. Size:76K  motorola
 bfr90rev.pdf pdf_icon

BFR90B

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BFR90/D The RF Line NPN Silicon BFR90 High-Frequency Transistor Designed primarily for use in high gain, low noise, small signal amplifiers. Also used in applications requiring fast switching times. High Current Gain Bandwidth Product fT = 5.0 GHz (Typ) @ IC = 14 mA fT = 5.0 GHz @ 14 mA Low Noise F

Otros transistores... BFR88B, BFR88TO5, BFR89, BFR89A, BFR89B, BFR89TO5, BFR90, BFR90A, 2SC945, BFR90H, BFR91, BFR91A, BFR91H, BFR92, BFR92A, BFR92ALT1, BFR92AR