BFR90B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFR90B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO51

 Аналоги (замена) для BFR90B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFR90B даташит

 9.1. Size:76K  motorola
 bfr90rev.pdf pdf_icon

BFR90B

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BFR90/D The RF Line NPN Silicon BFR90 High-Frequency Transistor Designed primarily for use in high gain, low noise, small signal amplifiers. Also used in applications requiring fast switching times. High Current Gain Bandwidth Product fT = 5.0 GHz (Typ) @ IC = 14 mA fT = 5.0 GHz @ 14 mA Low Noise F

Другие транзисторы: BFR88B, BFR88TO5, BFR89, BFR89A, BFR89B, BFR89TO5, BFR90, BFR90A, 2SC945, BFR90H, BFR91, BFR91A, BFR91H, BFR92, BFR92A, BFR92ALT1, BFR92AR