BFS50 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFS50
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2.7 W
Tensión colector-base (Vcb): 36 V
Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 6 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
Paquete / Cubierta: TO39
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BFS50 Datasheet (PDF)
bfs505 cnv.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFS505NPN 9 GHz wideband transistorProduct specification September 1995NXP Semiconductors Product specificationNPN 9 GHz wideband transistor BFS505FEATURES PINNING Low current consumptionPIN DESCRIPTION3handbook, 2 columns High power gainCode: N0 Low noise figure1 base High transition frequency2 emitter Gold
bfs505.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFS505NPN 9 GHz wideband transistorSeptember 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 9 GHz wideband transistor BFS505FEATURES PINNING Low current consumptionPIN DESCRIPTIONhandbook, 2 columns High power gain 3Code: N0 Low noise figure1 base Hig
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History: MJE13003A | GBD267
Liste
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