BFS50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFS50

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2.7 W

Tensión colector-base (Vcb): 36 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 6 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000

Encapsulados: TO39

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BFS50 datasheet

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BFS50

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFS505 NPN 9 GHz wideband transistor Product specification September 1995 NXP Semiconductors Product specification NPN 9 GHz wideband transistor BFS505 FEATURES PINNING Low current consumption PIN DESCRIPTION 3 handbook, 2 columns High power gain Code N0 Low noise figure 1 base High transition frequency 2 emitter Gold

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BFS50

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFS505 NPN 9 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 9 GHz wideband transistor BFS505 FEATURES PINNING Low current consumption PIN DESCRIPTION handbook, 2 columns High power gain 3 Code N0 Low noise figure 1 base Hig

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