BFS50 Todos los transistores

 

BFS50 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFS50
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2.7 W
   Tensión colector-base (Vcb): 36 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 6 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO39
 

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BFS50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:263K  philips
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BFS50

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFS505NPN 9 GHz wideband transistorProduct specification September 1995NXP Semiconductors Product specificationNPN 9 GHz wideband transistor BFS505FEATURES PINNING Low current consumptionPIN DESCRIPTION3handbook, 2 columns High power gainCode: N0 Low noise figure1 base High transition frequency2 emitter Gold

 0.2. Size:89K  philips
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BFS50

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFS505NPN 9 GHz wideband transistorSeptember 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 9 GHz wideband transistor BFS505FEATURES PINNING Low current consumptionPIN DESCRIPTIONhandbook, 2 columns High power gain 3Code: N0 Low noise figure1 base Hig

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History: L2SC4617ST3G | 2SD1537

 

 
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