Биполярный транзистор BFS50 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFS50
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO39
BFS50 Datasheet (PDF)
bfs505 cnv.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFS505NPN 9 GHz wideband transistorProduct specification September 1995NXP Semiconductors Product specificationNPN 9 GHz wideband transistor BFS505FEATURES PINNING Low current consumptionPIN DESCRIPTION3handbook, 2 columns High power gainCode: N0 Low noise figure1 base High transition frequency2 emitter Gold
bfs505.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFS505NPN 9 GHz wideband transistorSeptember 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 9 GHz wideband transistor BFS505FEATURES PINNING Low current consumptionPIN DESCRIPTIONhandbook, 2 columns High power gain 3Code: N0 Low noise figure1 base Hig
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050