BFS50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFS50

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для BFS50

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFS50 даташит

 0.1. Size:263K  philips
 bfs505 cnv.pdf pdf_icon

BFS50

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFS505 NPN 9 GHz wideband transistor Product specification September 1995 NXP Semiconductors Product specification NPN 9 GHz wideband transistor BFS505 FEATURES PINNING Low current consumption PIN DESCRIPTION 3 handbook, 2 columns High power gain Code N0 Low noise figure 1 base High transition frequency 2 emitter Gold

 0.2. Size:89K  philips
 bfs505.pdf pdf_icon

BFS50

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFS505 NPN 9 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 9 GHz wideband transistor BFS505 FEATURES PINNING Low current consumption PIN DESCRIPTION handbook, 2 columns High power gain 3 Code N0 Low noise figure 1 base Hig

Другие транзисторы: BFS44, BFS45, BFS46, BFS46A, BFS480, BFS481, BFS482, BFS483, 2SD669A, BFS51, BFS55, BFS55A, BFS57, BFS57P, BFS58, BFS58P, BFS59