BFT30 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFT30

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W

Tensión colector-base (Vcb): 70 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 10 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 75

Encapsulados: TO18

 Búsqueda de reemplazo de BFT30

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BFT30 datasheet

 0.1. Size:10K  semelab
 bft30csm.pdf pdf_icon

BFT30

BFT30CSM Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) Ceramic Surface Mount 3 Package for High Reliability Applications 21 1.91 0.10 (0.075 0.004) A 0.31 rad. Bipolar NPN Device. (0.012) 3.05 0.13 (0.12 0.005) 1.40 (0.055) 1.02 0.10 max. VCEO = 60V A = (0.04 0.004)

 0.2. Size:10K  semelab
 bft30dcsm.pdf pdf_icon

BFT30

Otros transistores... BFT25R, BFT26, BFT27, BFT28, BFT28A, BFT28B, BFT28C, BFT29, 8550, BFT31, BFT32, BFT33, BFT34, BFT35, BFT35A, BFT36, BFT37