BFT30. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFT30

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для BFT30

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFT30 даташит

 0.1. Size:10K  semelab
 bft30csm.pdf pdf_icon

BFT30

BFT30CSM Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) Ceramic Surface Mount 3 Package for High Reliability Applications 21 1.91 0.10 (0.075 0.004) A 0.31 rad. Bipolar NPN Device. (0.012) 3.05 0.13 (0.12 0.005) 1.40 (0.055) 1.02 0.10 max. VCEO = 60V A = (0.04 0.004)

 0.2. Size:10K  semelab
 bft30dcsm.pdf pdf_icon

BFT30

Другие транзисторы: BFT25R, BFT26, BFT27, BFT28, BFT28A, BFT28B, BFT28C, BFT29, 8550, BFT31, BFT32, BFT33, BFT34, BFT35, BFT35A, BFT36, BFT37