BFT45 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFT45

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 250 V

Tensión colector-emisor (Vce): 250 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO39

 Búsqueda de reemplazo de BFT45

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BFT45 datasheet

 ..1. Size:52K  philips
 bft45 cnv 2.pdf pdf_icon

BFT45

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BFT45 PNP high-voltage transistor 1997 Apr 18 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP high-voltage transistor BFT45 FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 250 V). 1 emitter 2 base APPL

Otros transistores... BFT37, BFT37A, BFT39, BFT40, BFT41, BFT42, BFT43, BFT44, D965, BFT47, BFT48, BFT49, BFT50, BFT51, BFT53, BFT54, BFT55