BFT45 Todos los transistores

 

BFT45 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFT45
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 250 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO39
 

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BFT45 Datasheet (PDF)

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BFT45

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D111BFT45PNP high-voltage transistor1997 Apr 18Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP high-voltage transistor BFT45FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 250 V).1 emitter2 baseAPPL

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