BFT45. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFT45

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для BFT45

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFT45 даташит

 ..1. Size:52K  philips
 bft45 cnv 2.pdf pdf_icon

BFT45

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BFT45 PNP high-voltage transistor 1997 Apr 18 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP high-voltage transistor BFT45 FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 250 V). 1 emitter 2 base APPL

Другие транзисторы: BFT37, BFT37A, BFT39, BFT40, BFT41, BFT42, BFT43, BFT44, D965, BFT47, BFT48, BFT49, BFT50, BFT51, BFT53, BFT54, BFT55