2N311 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N311

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.075 W

Tensión colector-base (Vcb): 15 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO5

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2N311 datasheet

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2N311

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2N311

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2N311

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N3114CSM High Voltage Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For Low Noise General Purpose Amplifiers, Driver Stages and Signal Processing Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 150V VCEO Collector Emitter V

 0.4. Size:143K  microelectronics
 2n3107 2n3108 2n3109 2n3110.pdf pdf_icon

2N311

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