Биполярный транзистор 2N311 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N311
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO5
2N311 Datasheet (PDF)
0.3. Size:144K semelab
2n3114csm.pdf
2n3114csm.pdf
SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N3114CSM High Voltage Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For Low Noise General Purpose Amplifiers, Driver Stages and Signal Processing Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 150V VCEO Collector Emitter V
Другие транзисторы... 2N3082 , 2N3083 , 2N309 , 2N31 , 2N310 , 2N3107 , 2N3108 , 2N3109 , A940 , 2N3110 , 2N3110S , 2N3114 , 2N3114S , 2N3115 , 2N3116 , 2N3117 , 2N3118 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050