BFY19 Todos los transistores

 

BFY19 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFY19
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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BFY19 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:122K  siemens
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BFY19

HiRel NPN Silicon RF Transistor BFY 193Features HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, high gain broadband amplifiers up to2 GHz. For linear broadband amplifiers Hermetically sealed microwave package fT = 8 GHz, F = 2.3 dB at 2 GHz qualifiedMicro-X1 ESA/SCC Detail Spec. No.: 5611/006ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe han

 0.2. Size:120K  siemens
 bfy196.pdf pdf_icon

BFY19

HiRel NPN Silicon RF Transistor BFY 196Features HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, high gain amplifiers up to 2 GHz. For linear broadband amplifiers Hermetically sealed microwave package fT = 6.5 GHz, F = 3 dB at 2 GHz ESA Qualification pendingMicro-X1ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions!Type Marking O

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