BFY19 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFY19

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 300 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 7 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO18

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BFY19 datasheet

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BFY19

HiRel NPN Silicon RF Transistor BFY 193 Features HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, high gain broadband amplifiers up to 2 GHz. For linear broadband amplifiers Hermetically sealed microwave package fT = 8 GHz, F = 2.3 dB at 2 GHz qualified Micro-X1 ESA/SCC Detail Spec. No. 5611/006 ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe han

 0.2. Size:120K  siemens
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BFY19

HiRel NPN Silicon RF Transistor BFY 196 Features HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, high gain amplifiers up to 2 GHz. For linear broadband amplifiers Hermetically sealed microwave package fT = 6.5 GHz, F = 3 dB at 2 GHz ESA Qualification pending Micro-X1 ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions! Type Marking O

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