BFY19 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFY19
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO18
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BFY19
BFY19 Datasheet (PDF)
bfy193.pdf
HiRel NPN Silicon RF Transistor BFY 193Features HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, high gain broadband amplifiers up to2 GHz. For linear broadband amplifiers Hermetically sealed microwave package fT = 8 GHz, F = 2.3 dB at 2 GHz qualifiedMicro-X1 ESA/SCC Detail Spec. No.: 5611/006ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe han
bfy196.pdf
HiRel NPN Silicon RF Transistor BFY 196Features HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, high gain amplifiers up to 2 GHz. For linear broadband amplifiers Hermetically sealed microwave package fT = 6.5 GHz, F = 3 dB at 2 GHz ESA Qualification pendingMicro-X1ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions!Type Marking O
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