Биполярный транзистор BFY19 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BFY19
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO18
Аналог (замена) для BFY19
BFY19 Datasheet (PDF)
bfy193.pdf

HiRel NPN Silicon RF Transistor BFY 193Features HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, high gain broadband amplifiers up to2 GHz. For linear broadband amplifiers Hermetically sealed microwave package fT = 8 GHz, F = 2.3 dB at 2 GHz qualifiedMicro-X1 ESA/SCC Detail Spec. No.: 5611/006ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe han
bfy196.pdf

HiRel NPN Silicon RF Transistor BFY 196Features HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, high gain amplifiers up to 2 GHz. For linear broadband amplifiers Hermetically sealed microwave package fT = 6.5 GHz, F = 3 dB at 2 GHz ESA Qualification pendingMicro-X1ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions!Type Marking O
Другие транзисторы... BFY14 , BFY14B , BFY14C , BFY14D , BFY15 , BFY16 , BFY17 , BFY18 , BC549 , BFY20 , BFY21 , BFY22 , BFY23 , BFY23A , BFY24 , BFY25 , BFY27 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614