BFY19. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFY19

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для BFY19

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFY19 даташит

 0.1. Size:122K  siemens
 bfy193.pdf pdf_icon

BFY19

HiRel NPN Silicon RF Transistor BFY 193 Features HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, high gain broadband amplifiers up to 2 GHz. For linear broadband amplifiers Hermetically sealed microwave package fT = 8 GHz, F = 2.3 dB at 2 GHz qualified Micro-X1 ESA/SCC Detail Spec. No. 5611/006 ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe han

 0.2. Size:120K  siemens
 bfy196.pdf pdf_icon

BFY19

HiRel NPN Silicon RF Transistor BFY 196 Features HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, high gain amplifiers up to 2 GHz. For linear broadband amplifiers Hermetically sealed microwave package fT = 6.5 GHz, F = 3 dB at 2 GHz ESA Qualification pending Micro-X1 ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions! Type Marking O

Другие транзисторы: BFY14, BFY14B, BFY14C, BFY14D, BFY15, BFY16, BFY17, BFY18, 2SD669, BFY20, BFY21, BFY22, BFY23, BFY23A, BFY24, BFY25, BFY27