Биполярный транзистор BFY19 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFY19
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO18
BFY19 Datasheet (PDF)
bfy193.pdf
HiRel NPN Silicon RF Transistor BFY 193Features HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, high gain broadband amplifiers up to2 GHz. For linear broadband amplifiers Hermetically sealed microwave package fT = 8 GHz, F = 2.3 dB at 2 GHz qualifiedMicro-X1 ESA/SCC Detail Spec. No.: 5611/006ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe han
bfy196.pdf
HiRel NPN Silicon RF Transistor BFY 196Features HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, high gain amplifiers up to 2 GHz. For linear broadband amplifiers Hermetically sealed microwave package fT = 6.5 GHz, F = 3 dB at 2 GHz ESA Qualification pendingMicro-X1ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions!Type Marking O
Другие транзисторы... BFY14 , BFY14B , BFY14C , BFY14D , BFY15 , BFY16 , BFY17 , BFY18 , 2SD669 , BFY20 , BFY21 , BFY22 , BFY23 , BFY23A , BFY24 , BFY25 , BFY27 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050