BLT50 Todos los transistores

 

BLT50 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLT50
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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BLT50 Datasheet (PDF)

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BLT50

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLT50UHF power transistorApril 1991Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLT50FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Ts 60 C in a common emitter class-B test circuit SMD encapsulation(note 1). Gold metallization ensuresexcellent reliability. MODE OF OPERATION f (MHz) V

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History: PT518

 

 
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