BLT50 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLT50

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: SOT223

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BLT50 datasheet

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BLT50

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLT50 UHF power transistor April 1991 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLT50 FEATURES QUICK REFERENCE DATA RF performance at Ts 60 C in a common emitter class-B test circuit SMD encapsulation (note 1). Gold metallization ensures excellent reliability. MODE OF OPERATION f (MHz) V

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