BLT50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLT50

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для BLT50

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLT50 даташит

 ..1. Size:57K  philips
 blt50.pdf pdf_icon

BLT50

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLT50 UHF power transistor April 1991 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLT50 FEATURES QUICK REFERENCE DATA RF performance at Ts 60 C in a common emitter class-B test circuit SMD encapsulation (note 1). Gold metallization ensures excellent reliability. MODE OF OPERATION f (MHz) V

Другие транзисторы: BFY91, BFY92, BFY94, BFY95, BFY99, BFYP99, BFZ10, BJ1A, D667, BLT80, BLT90, BLT90-SL, BLT91, BLT91-SL, BLT92, BLT92-SL, BLT93-SL