BLV10 Todos los transistores

 

BLV10 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLV10
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 36 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: M174
 

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BLV10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  philips
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BLV10

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV10VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV10It has a 3/8 flange envelope with aDESCRIPTIONceramic cap. All leads are isolatedN-P-N silicon planar epitaxialfrom the flange.transistor intended for use in class-A,B and C operated mobile, h.f. andv.h.

 0.1. Size:63K  philips
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BLV10

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV100UHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV100FEATURES PIN CONFIGURATION Internal input matching to achievehigh power gain Ballasting resistors for an optimumhalfpagetemperature profile Gold metallization ensuresexcellent reliability.1 2c

 0.2. Size:70K  philips
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BLV10

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV103UHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV103FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Th =25C in a common emitter test circuit. Internal matching for an optimumwideband capability and high gainf VCE PL Gp CMODE OF OPERATION Emitter-ball

 0.3. Size:86K  belling
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BLV10

BLV108 N MOSFET N MOSFETN MOSFETN MOSFET: :: : N VDMOS (T=25) (T=25) (T=25)

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History: 2SB1215R | 3DD4203D

 

 
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