BLV10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV10

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: M174

 Аналоги (замена) для BLV10

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV10 даташит

 ..1. Size:66K  philips
 blv10.pdf pdf_icon

BLV10

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV10 VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLV10 It has a 3/8 flange envelope with a DESCRIPTION ceramic cap. All leads are isolated N-P-N silicon planar epitaxial from the flange. transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, h.f. and v.h.

 0.1. Size:63K  philips
 blv100.pdf pdf_icon

BLV10

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV100 UHF power transistor March 1993 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV100 FEATURES PIN CONFIGURATION Internal input matching to achieve high power gain Ballasting resistors for an optimum halfpage temperature profile Gold metallization ensures excellent reliability. 1 2 c

 0.2. Size:70K  philips
 blv103.pdf pdf_icon

BLV10

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV103 UHF power transistor March 1993 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV103 FEATURES QUICK REFERENCE DATA RF performance at Th =25 C in a common emitter test circuit. Internal matching for an optimum wideband capability and high gain f VCE PL Gp C MODE OF OPERATION Emitter-ball

 0.3. Size:86K  belling
 blv108.pdf pdf_icon

BLV10

BLV108 N MOSFET N MOSFET N MOSFET N MOSFET N VDMOS (T=25 ) (T=25 ) (T=25 )

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BLU50, BLU51, BLU52, BLU53, BLU60-12, BLU97, BLU98, BLU99, BD140, BLV11, BLV15-12, BLV20, BLV21, BLV25, BLV30, BLV30-12, BLV31