Справочник транзисторов. BLV10

 

Биполярный транзистор BLV10 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BLV10
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: M174

 Аналоги (замена) для BLV10

 

 

BLV10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  philips
blv10.pdf

BLV10
BLV10

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV10VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV10It has a 3/8 flange envelope with aDESCRIPTIONceramic cap. All leads are isolatedN-P-N silicon planar epitaxialfrom the flange.transistor intended for use in class-A,B and C operated mobile, h.f. andv.h.

 0.1. Size:63K  philips
blv100.pdf

BLV10
BLV10

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV100UHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV100FEATURES PIN CONFIGURATION Internal input matching to achievehigh power gain Ballasting resistors for an optimumhalfpagetemperature profile Gold metallization ensuresexcellent reliability.1 2c

 0.2. Size:70K  philips
blv103.pdf

BLV10
BLV10

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV103UHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV103FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Th =25C in a common emitter test circuit. Internal matching for an optimumwideband capability and high gainf VCE PL Gp CMODE OF OPERATION Emitter-ball

 0.3. Size:86K  belling
blv108.pdf

BLV10
BLV10

BLV108 N MOSFET N MOSFETN MOSFETN MOSFET: :: : N VDMOS (T=25) (T=25) (T=25)

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top