BLV11 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLV11
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 36 W
Tensión colector-base (Vcb): 36 V
Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 900 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 32 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: M174
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BLV11
BLV11 Datasheet (PDF)
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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV11VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV11It has a 3/8" flange envelope with aDESCRIPTIONceramic cap. All leads are isolatedN-P-N silicon planar epitaxialfrom the flange.transistor intended for use in class-A,B and C operated mobile, h.f. andv.h.f.
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
