BLV11 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLV11

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 36 W

Tensión colector-base (Vcb): 36 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 900 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 32 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: M174

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BLV11 datasheet

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BLV11

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV11 VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLV11 It has a 3/8" flange envelope with a DESCRIPTION ceramic cap. All leads are isolated N-P-N silicon planar epitaxial from the flange. transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, h.f. and v.h.f.

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