BLV11. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV11

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 900 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 32 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: M174

 Аналоги (замена) для BLV11

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV11 даташит

 ..1. Size:66K  philips
 blv11.pdf pdf_icon

BLV11

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV11 VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLV11 It has a 3/8" flange envelope with a DESCRIPTION ceramic cap. All leads are isolated N-P-N silicon planar epitaxial from the flange. transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, h.f. and v.h.f.

Другие транзисторы: BLU51, BLU52, BLU53, BLU60-12, BLU97, BLU98, BLU99, BLV10, TIP3055, BLV15-12, BLV20, BLV21, BLV25, BLV30, BLV30-12, BLV31, BLV32