Справочник транзисторов. BLV11

 

Биполярный транзистор BLV11 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLV11
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 900 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 32 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: M174
 

 Аналог (замена) для BLV11

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  philips
 blv11.pdf pdf_icon

BLV11

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV11VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV11It has a 3/8" flange envelope with aDESCRIPTIONceramic cap. All leads are isolatedN-P-N silicon planar epitaxialfrom the flange.transistor intended for use in class-A,B and C operated mobile, h.f. andv.h.f.

Другие транзисторы... BLU51 , BLU52 , BLU53 , BLU60-12 , BLU97 , BLU98 , BLU99 , BLV10 , 13009 , BLV15-12 , BLV20 , BLV21 , BLV25 , BLV30 , BLV30-12 , BLV31 , BLV32 .

History: 2SC3573 | MP4275 | NPS5142 | BF392L | SD918F | MP1554 | C9013B-H

 

 
Back to Top

 


 
.