BLV25 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLV25
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 220 W
Tensión colector-base (Vcb): 65 V
Tensión colector-emisor (Vce): 33 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 17 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 600 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: XM5
Búsqueda de reemplazo de BLV25
BLV25 Datasheet (PDF)
blv25.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV25VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV25DESCRIPTION FEATURESN-P-N silicon planar epitaxial internally matched input fortransistor primarily for use in wideband operation and highv.h.f.-f.m. broadcast transmitters. power gain; multi-base structur
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BC847CWT1G | KSD794AO | MUN2138 | CTP1733 | DBW47 | BST61 | TTC004
History: BC847CWT1G | KSD794AO | MUN2138 | CTP1733 | DBW47 | BST61 | TTC004



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618