BLV25 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLV25
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 220 W
Tensión colector-base (Vcb): 65 V
Tensión colector-emisor (Vce): 33 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 17 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 600 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: XM5
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BLV25 Datasheet (PDF)
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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV25VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV25DESCRIPTION FEATURESN-P-N silicon planar epitaxial internally matched input fortransistor primarily for use in wideband operation and highv.h.f.-f.m. broadcast transmitters. power gain; multi-base structur
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
