BLV25 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLV25

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 220 W

Tensión colector-base (Vcb): 65 V

Tensión colector-emisor (Vce): 33 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 17 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 600 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: XM5

 Búsqueda de reemplazo de BLV25

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BLV25 datasheet

 ..1. Size:68K  philips
 blv25.pdf pdf_icon

BLV25

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV25 VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLV25 DESCRIPTION FEATURES N-P-N silicon planar epitaxial internally matched input for transistor primarily for use in wideband operation and high v.h.f.-f.m. broadcast transmitters. power gain; multi-base structur

Otros transistores... BLU97, BLU98, BLU99, BLV10, BLV11, BLV15-12, BLV20, BLV21, 13009, BLV30, BLV30-12, BLV31, BLV32, BLV32F, BLV33, BLV33F, BLV34