BLV25 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLV25
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 220 W
Tensión colector-base (Vcb): 65 V
Tensión colector-emisor (Vce): 33 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 17 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 600 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: XM5
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BLV25 Datasheet (PDF)
blv25.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV25VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV25DESCRIPTION FEATURESN-P-N silicon planar epitaxial internally matched input fortransistor primarily for use in wideband operation and highv.h.f.-f.m. broadcast transmitters. power gain; multi-base structur
Otros transistores... BLU97 , BLU98 , BLU99 , BLV10 , BLV11 , BLV15-12 , BLV20 , BLV21 , BC548 , BLV30 , BLV30-12 , BLV31 , BLV32 , BLV32F , BLV33 , BLV33F , BLV34 .
History: 2N6439 | RT699M | 2SD2173 | 2N5899 | GT250-10A | 2N406
History: 2N6439 | RT699M | 2SD2173 | 2N5899 | GT250-10A | 2N406



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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