Биполярный транзистор BLV25 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLV25
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 33 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 17 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: XM5
BLV25 Datasheet (PDF)
..1. Size:68K philips
blv25.pdf
blv25.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV25VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV25DESCRIPTION FEATURESN-P-N silicon planar epitaxial internally matched input fortransistor primarily for use in wideband operation and highv.h.f.-f.m. broadcast transmitters. power gain; multi-base structur
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050