Справочник транзисторов. BLV25

 

Биполярный транзистор BLV25 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLV25
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 33 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 17 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: XM5
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BLV25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  philips
 blv25.pdf pdf_icon

BLV25

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV25VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV25DESCRIPTION FEATURESN-P-N silicon planar epitaxial internally matched input fortransistor primarily for use in wideband operation and highv.h.f.-f.m. broadcast transmitters. power gain; multi-base structur

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: KRA108S | SEMZ8

 

 
Back to Top

 


 
.