BLV33F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BLV33F
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 132 W
   Tensión colector-base (Vcb): 65 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 33 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 700 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 150 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: XM5

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BLV33F Datasheet (PDF)

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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV33FVHF linear power transistor1996 Oct 10Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF linear power transistor BLV33FFEATURES PINNING - SOT119A Internally matched input for wideband operation andPIN SYMBOL DESCRIPTIONhigh power gain1 e emitter Diffused emitter ballasting resistors for an optimum2 e emi

9.1. Size:106K philips
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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV33VHF linear power transistor1996 Oct 10Product specificationSupersedes data of November 1995Philips Semiconductors Product specificationVHF linear power transistor BLV33FEATURES PINNING - SOT147 Diffused emitter ballasting resistors for an optimumPIN SYMBOL DESCRIPTIONtemperature profile1 c collector Gold sandwich metalliza

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BUH515D

Liste

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