BLV33F Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLV33F

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 132 W

Tensión colector-base (Vcb): 65 V

Tensión colector-emisor (Vce): 33 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 700 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 150 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: XM5

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BLV33F datasheet

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BLV33F

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV33F VHF linear power transistor 1996 Oct 10 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF linear power transistor BLV33F FEATURES PINNING - SOT119A Internally matched input for wideband operation and PIN SYMBOL DESCRIPTION high power gain 1 e emitter Diffused emitter ballasting resistors for an optimum 2 e emi

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BLV33F

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV33 VHF linear power transistor 1996 Oct 10 Product specification Supersedes data of November 1995 Philips Semiconductors Product specification VHF linear power transistor BLV33 FEATURES PINNING - SOT147 Diffused emitter ballasting resistors for an optimum PIN SYMBOL DESCRIPTION temperature profile 1 c collector Gold sandwich metalliza

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