Биполярный транзистор BLV33F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLV33F
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 132 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 33 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 700 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: XM5
BLV33F Datasheet (PDF)
blv33f.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV33FVHF linear power transistor1996 Oct 10Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF linear power transistor BLV33FFEATURES PINNING - SOT119A Internally matched input for wideband operation andPIN SYMBOL DESCRIPTIONhigh power gain1 e emitter Diffused emitter ballasting resistors for an optimum2 e emi
blv33.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV33VHF linear power transistor1996 Oct 10Product specificationSupersedes data of November 1995Philips Semiconductors Product specificationVHF linear power transistor BLV33FEATURES PINNING - SOT147 Diffused emitter ballasting resistors for an optimumPIN SYMBOL DESCRIPTIONtemperature profile1 c collector Gold sandwich metalliza
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050