Справочник транзисторов. BLV33F

 

Биполярный транзистор BLV33F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BLV33F
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 132 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 33 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 700 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: XM5

 Аналоги (замена) для BLV33F

 

 

BLV33F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  philips
blv33f.pdf

BLV33F
BLV33F

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV33FVHF linear power transistor1996 Oct 10Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF linear power transistor BLV33FFEATURES PINNING - SOT119A Internally matched input for wideband operation andPIN SYMBOL DESCRIPTIONhigh power gain1 e emitter Diffused emitter ballasting resistors for an optimum2 e emi

 9.1. Size:106K  philips
blv33.pdf

BLV33F
BLV33F

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV33VHF linear power transistor1996 Oct 10Product specificationSupersedes data of November 1995Philips Semiconductors Product specificationVHF linear power transistor BLV33FEATURES PINNING - SOT147 Diffused emitter ballasting resistors for an optimumPIN SYMBOL DESCRIPTIONtemperature profile1 c collector Gold sandwich metalliza

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top