BLV33F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV33F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 132 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 33 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 700 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: XM5

 Аналоги (замена) для BLV33F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV33F даташит

 ..1. Size:118K  philips
 blv33f.pdf pdf_icon

BLV33F

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV33F VHF linear power transistor 1996 Oct 10 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF linear power transistor BLV33F FEATURES PINNING - SOT119A Internally matched input for wideband operation and PIN SYMBOL DESCRIPTION high power gain 1 e emitter Diffused emitter ballasting resistors for an optimum 2 e emi

 9.1. Size:106K  philips
 blv33.pdf pdf_icon

BLV33F

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV33 VHF linear power transistor 1996 Oct 10 Product specification Supersedes data of November 1995 Philips Semiconductors Product specification VHF linear power transistor BLV33 FEATURES PINNING - SOT147 Diffused emitter ballasting resistors for an optimum PIN SYMBOL DESCRIPTION temperature profile 1 c collector Gold sandwich metalliza

Другие транзисторы: BLV21, BLV25, BLV30, BLV30-12, BLV31, BLV32, BLV32F, BLV33, 2SD1047, BLV34, BLV34F, BLV36, BLV37, BLV45, BLV45-12, BLV45A, BLV57