BLV45 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLV45

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W

Tensión colector-emisor (Vce): 36 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 175 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: M111

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BLV45 datasheet

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BLV45

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV45/12 VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLV45/12 DESCRIPTION FEATURES N-P-N silicon planar epitaxial multi-base structure and transistor primarily intended for use in emitter-ballasting resistors for an mobile radio transmitters in the optimum temperature

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BLV45

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV45/12 VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLV45/12 DESCRIPTION FEATURES N-P-N silicon planar epitaxial multi-base structure and transistor primarily intended for use in emitter-ballasting resistors for an mobile radio transmitters in the optimum temperature

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