BLV45 Todos los transistores

 

BLV45 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLV45
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 36 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 9 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 175 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: M111
 

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BLV45 Datasheet (PDF)

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BLV45

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV45/12VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV45/12DESCRIPTION FEATURESN-P-N silicon planar epitaxial multi-base structure andtransistor primarily intended for use in emitter-ballasting resistors for anmobile radio transmitters in the optimum temperature

 0.1. Size:64K  philips
 blv4512 cnv 2.pdf pdf_icon

BLV45

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV45/12VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV45/12DESCRIPTION FEATURESN-P-N silicon planar epitaxial multi-base structure andtransistor primarily intended for use in emitter-ballasting resistors for anmobile radio transmitters in the optimum temperature

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PBSS4160QA | 3DA122 | BUW41B | D4203D | 2SC361 | UNR1112 | KSC3552

 

 
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