BLV45 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BLV45
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 36 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 9 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 175 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: M111

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BLV45

BLV45 Datasheet (PDF)

..1. Size:64K philips
blv45.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV45/12VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV45/12DESCRIPTION FEATURESN-P-N silicon planar epitaxial multi-base structure andtransistor primarily intended for use in emitter-ballasting resistors for anmobile radio transmitters in the optimum temperature

0.1. Size:64K philips
blv4512 cnv 2.pdf