BLV45. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV45

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 36 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: M111

 Аналоги (замена) для BLV45

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV45 даташит

 ..1. Size:64K  philips
 blv45.pdf pdf_icon

BLV45

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV45/12 VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLV45/12 DESCRIPTION FEATURES N-P-N silicon planar epitaxial multi-base structure and transistor primarily intended for use in emitter-ballasting resistors for an mobile radio transmitters in the optimum temperature

 0.1. Size:64K  philips
 blv4512 cnv 2.pdf pdf_icon

BLV45

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV45/12 VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLV45/12 DESCRIPTION FEATURES N-P-N silicon planar epitaxial multi-base structure and transistor primarily intended for use in emitter-ballasting resistors for an mobile radio transmitters in the optimum temperature

Другие транзисторы: BLV32, BLV32F, BLV33, BLV33F, BLV34, BLV34F, BLV36, BLV37, S8550, BLV45-12, BLV45A, BLV57, BLV59, BLV75-12, BLV80-28, BLV90, BLV90-SL