BLV59 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BLV59
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 860 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: SPECIAL

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BLV59

BLV59 Datasheet (PDF)

..1. Size:84K philips
blv59.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D076BLV59UHF linear power transistor1998 Jan 09Product specificationSupersedes data of March 1993Philips Semiconductors Product specificationUHF linear power transistor BLV59FEATURES PINNING - SOT171A Internal input matching to achieve an optimumPIN SYMBOL DESCRIPTIONwideband capability and high power gain1 e emitter Emitte

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: MPQ2221A

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: GN1A3Q | D965-KEHE | 2SD662B | 2SD661A | 2SC3080 | S9018L | S9012J | 2SA73L | 2SA73H | 2SA1015H | WT955 | TS13005CK | TP5001P3 | SS8550W-L | SS8550W-J | SS8550W-H | SS8550E | SS8550D | SS8550C | SS8050E | SS8050D