BLV59. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV59

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 860 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SPECIAL

 Аналоги (замена) для BLV59

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV59 даташит

 ..1. Size:84K  philips
 blv59.pdf pdf_icon

BLV59

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D076 BLV59 UHF linear power transistor 1998 Jan 09 Product specification Supersedes data of March 1993 Philips Semiconductors Product specification UHF linear power transistor BLV59 FEATURES PINNING - SOT171A Internal input matching to achieve an optimum PIN SYMBOL DESCRIPTION wideband capability and high power gain 1 e emitter Emitte

Другие транзисторы: BLV34, BLV34F, BLV36, BLV37, BLV45, BLV45-12, BLV45A, BLV57, BD335, BLV75-12, BLV80-28, BLV90, BLV90-SL, BLV91, BLV91-SL, BLV92, BLV93