Биполярный транзистор BLV59 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLV59
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 860 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: SPECIAL
BLV59 Datasheet (PDF)
..1. Size:84K philips
blv59.pdf
blv59.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D076BLV59UHF linear power transistor1998 Jan 09Product specificationSupersedes data of March 1993Philips Semiconductors Product specificationUHF linear power transistor BLV59FEATURES PINNING - SOT171A Internal input matching to achieve an optimumPIN SYMBOL DESCRIPTIONwideband capability and high power gain1 e emitter Emitte
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS