BLV75-12 Todos los transistores

 

BLV75-12 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLV75-12
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 36 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 175 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: M111
 

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BLV75-12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  philips
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BLV75-12

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV75/12VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV75/12DESCRIPTION FEATURESN-P-N silicon planar epitaxial multi-base structure andtransistor primarily intended for use in emitter-ballasting resistors for anmobile radio transmitters in the optimum temperature

Otros transistores... BLV34F , BLV36 , BLV37 , BLV45 , BLV45-12 , BLV45A , BLV57 , BLV59 , B772 , BLV80-28 , BLV90 , BLV90-SL , BLV91 , BLV91-SL , BLV92 , BLV93 , BLV94 .

 

 
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