BLV75-12 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLV75-12

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W

Tensión colector-base (Vcb): 36 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 175 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: M111

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BLV75-12 datasheet

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BLV75-12

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV75/12 VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLV75/12 DESCRIPTION FEATURES N-P-N silicon planar epitaxial multi-base structure and transistor primarily intended for use in emitter-ballasting resistors for an mobile radio transmitters in the optimum temperature

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