Справочник транзисторов. BLV75-12

 

Биполярный транзистор BLV75-12 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLV75-12
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: M111
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BLV75-12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  philips
 blv75-12 cnv 2.pdf pdf_icon

BLV75-12

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV75/12VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV75/12DESCRIPTION FEATURESN-P-N silicon planar epitaxial multi-base structure andtransistor primarily intended for use in emitter-ballasting resistors for anmobile radio transmitters in the optimum temperature

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: KRA108S | SEMZ8

 

 
Back to Top

 


 
.