BLV75-12. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV75-12

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: M111

 Аналоги (замена) для BLV75-12

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV75-12 даташит

 ..1. Size:71K  philips
 blv75-12 cnv 2.pdf pdf_icon

BLV75-12

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV75/12 VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLV75/12 DESCRIPTION FEATURES N-P-N silicon planar epitaxial multi-base structure and transistor primarily intended for use in emitter-ballasting resistors for an mobile radio transmitters in the optimum temperature

Другие транзисторы: BLV34F, BLV36, BLV37, BLV45, BLV45-12, BLV45A, BLV57, BLV59, A940, BLV80-28, BLV90, BLV90-SL, BLV91, BLV91-SL, BLV92, BLV93, BLV94