BLV80-28 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLV80-28

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 116 W

Tensión colector-emisor (Vce): 33 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 600 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: M174

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BLV80-28 datasheet

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BLV80-28

HG RF POWER TRANSISTOR BLV80-28 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE .500 4L FLG The BLV80-28 is Designed for 28 Volt Class C VHF Power AmplifierApplications up to 175 MHz. FEATURES = 65 % min. at 80 W/175 MHz C PG = 6.5 dB min. at 80 W/175 MHz Omnigold Metalization System MAXIMUM RATINGS IC 9.0 A VCBO 65 V VCEO 35 V

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