BLV80-28 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLV80-28
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 116 W
Tensión colector-emisor (Vce): 33 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 600 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: M174
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BLV80-28 Datasheet (PDF)
blv80.pdf

HG RF POWER TRANSISTORBLV80-28SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORDESCRIPTION:PACKAGE STYLE .500 4L FLGThe BLV80-28 is Designed for 28 VoltClass C VHF PowerAmplifierApplications up to 175 MHz.FEATURES: = 65 % min. at 80 W/175 MHz CPG = 6.5 dB min. at 80 W/175 MHzOmnigold Metalization SystemMAXIMUM RATINGSIC 9.0 AVCBO 65 VVCEO 35 V
Otros transistores... BLV36 , BLV37 , BLV45 , BLV45-12 , BLV45A , BLV57 , BLV59 , BLV75-12 , S8550 , BLV90 , BLV90-SL , BLV91 , BLV91-SL , BLV92 , BLV93 , BLV94 , BLV95 .
History: 2SA1306AO | 2SB1203T-TL-E | BFQ253A | CZT953 | PN3250A | 2SD1482 | 2SA453
History: 2SA1306AO | 2SB1203T-TL-E | BFQ253A | CZT953 | PN3250A | 2SD1482 | 2SA453



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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