Справочник транзисторов. BLV80-28

 

Биполярный транзистор BLV80-28 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLV80-28
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 116 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 33 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: M174
 

 Аналог (замена) для BLV80-28

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV80-28 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:257K  hgsemi
 blv80.pdf pdf_icon

BLV80-28

HG RF POWER TRANSISTORBLV80-28SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORDESCRIPTION:PACKAGE STYLE .500 4L FLGThe BLV80-28 is Designed for 28 VoltClass C VHF PowerAmplifierApplications up to 175 MHz.FEATURES: = 65 % min. at 80 W/175 MHz CPG = 6.5 dB min. at 80 W/175 MHzOmnigold Metalization SystemMAXIMUM RATINGSIC 9.0 AVCBO 65 VVCEO 35 V

Другие транзисторы... BLV36 , BLV37 , BLV45 , BLV45-12 , BLV45A , BLV57 , BLV59 , BLV75-12 , S8550 , BLV90 , BLV90-SL , BLV91 , BLV91-SL , BLV92 , BLV93 , BLV94 , BLV95 .

 

 
Back to Top

 


 
.