Биполярный транзистор BLV80-28 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLV80-28
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 116 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 33 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: M174
BLV80-28 Datasheet (PDF)
9.1. Size:257K hgsemi
blv80.pdf
blv80.pdf
HG RF POWER TRANSISTORBLV80-28SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORDESCRIPTION:PACKAGE STYLE .500 4L FLGThe BLV80-28 is Designed for 28 VoltClass C VHF PowerAmplifierApplications up to 175 MHz.FEATURES: = 65 % min. at 80 W/175 MHz CPG = 6.5 dB min. at 80 W/175 MHzOmnigold Metalization SystemMAXIMUM RATINGSIC 9.0 AVCBO 65 VVCEO 35 V
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
