BLV80-28. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV80-28

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 116 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 33 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: M174

 Аналоги (замена) для BLV80-28

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV80-28 даташит

 9.1. Size:257K  hgsemi
 blv80.pdf pdf_icon

BLV80-28

HG RF POWER TRANSISTOR BLV80-28 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE .500 4L FLG The BLV80-28 is Designed for 28 Volt Class C VHF Power AmplifierApplications up to 175 MHz. FEATURES = 65 % min. at 80 W/175 MHz C PG = 6.5 dB min. at 80 W/175 MHz Omnigold Metalization System MAXIMUM RATINGS IC 9.0 A VCBO 65 V VCEO 35 V

Другие транзисторы: BLV36, BLV37, BLV45, BLV45-12, BLV45A, BLV57, BLV59, BLV75-12, B772, BLV90, BLV90-SL, BLV91, BLV91-SL, BLV92, BLV93, BLV94, BLV95