BLV91 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLV91

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 36 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 900 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO128

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BLV91 datasheet

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BLV91

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV910 UHF power transistor 1995 Apr 11 Product specification Philips Semiconductors Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV910 FEATURES DESCRIPTION Internal input matching to achieve high power gain and NPN silicon planar epitaxial transistor intended for easy design of wideband circuits common emitter class-AB op

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BLV91

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