Биполярный транзистор BLV91 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLV91
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 900 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO128
BLV91 Datasheet (PDF)
blv910.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV910UHF power transistor1995 Apr 11Product specificationPhilips SemiconductorsPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV910FEATURES DESCRIPTION Internal input matching to achieve high power gain and NPN silicon planar epitaxial transistor intended foreasy design of wideband circuits common emitter class-AB op
blv91sl cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV91/SLUHF power transistorSeptember 1988Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV91/SLDESCRIPTION FEATURESNPN silicon planar epitaxial transistor designed for use in diffused emitter-ballasting resistors for an optimummobile radio transmitters in the 900 MHz band. temperature profile.
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
