BLV91-SL Todos los transistores

 

BLV91-SL . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLV91-SL
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 36 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 900 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO131
 

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BLV91-SL Datasheet (PDF)

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BLV91-SL

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV910UHF power transistor1995 Apr 11Product specificationPhilips SemiconductorsPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV910FEATURES DESCRIPTION Internal input matching to achieve high power gain and NPN silicon planar epitaxial transistor intended foreasy design of wideband circuits common emitter class-AB op

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BLV91-SL

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV91/SLUHF power transistorSeptember 1988Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV91/SLDESCRIPTION FEATURESNPN silicon planar epitaxial transistor designed for use in diffused emitter-ballasting resistors for an optimummobile radio transmitters in the 900 MHz band. temperature profile.

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: NJVMJD350T4G | UNR2210 | 2N6578 | HI112

 

 
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