BLV91-SL . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLV91-SL
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 36 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 900 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO131
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BLV91-SL Datasheet (PDF)
blv910.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV910UHF power transistor1995 Apr 11Product specificationPhilips SemiconductorsPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV910FEATURES DESCRIPTION Internal input matching to achieve high power gain and NPN silicon planar epitaxial transistor intended foreasy design of wideband circuits common emitter class-AB op
blv91sl cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV91/SLUHF power transistorSeptember 1988Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV91/SLDESCRIPTION FEATURESNPN silicon planar epitaxial transistor designed for use in diffused emitter-ballasting resistors for an optimummobile radio transmitters in the 900 MHz band. temperature profile.
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Liste
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BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050