BLV91-SL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV91-SL

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 900 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO131

 Аналоги (замена) для BLV91-SL

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV91-SL даташит

 9.1. Size:75K  philips
 blv910.pdf pdf_icon

BLV91-SL

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV910 UHF power transistor 1995 Apr 11 Product specification Philips Semiconductors Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV910 FEATURES DESCRIPTION Internal input matching to achieve high power gain and NPN silicon planar epitaxial transistor intended for easy design of wideband circuits common emitter class-AB op

 9.2. Size:55K  philips
 blv91sl cnv 2.pdf pdf_icon

BLV91-SL

Другие транзисторы: BLV45A, BLV57, BLV59, BLV75-12, BLV80-28, BLV90, BLV90-SL, BLV91, BD135, BLV92, BLV93, BLV94, BLV95, BLV97, BLV98, BLV99, BLW10