BLV92 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLV92
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 4 W
Tensión colector-base (Vcb): 36 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 900 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: M118
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BLV92 Datasheet (PDF)
blv92.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV92UHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV92DESCRIPTION FEATURESN-P-N silicon planar epitaxial transistor primarily intended multi-base structure and emitter-ballasting resistors forfor use in mobile radio transmitters in the 900 MHz an optimum temperature
blv920.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D076BLV920UHF power transistor1997 Nov 17Product specificationSupersedes data of 1995 Apr 10Philips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV920FEATURES DESCRIPTION Internal input matching to achieve high power gain and NPN silicon planar epitaxial transistor intended foreasy design of wideband circuits common emi
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