BLV92 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLV92  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 4 W

Tensión colector-base (Vcb): 36 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 900 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: M118

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BLV92 datasheet

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BLV92

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV92 UHF power transistor March 1993 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV92 DESCRIPTION FEATURES N-P-N silicon planar epitaxial transistor primarily intended multi-base structure and emitter-ballasting resistors for for use in mobile radio transmitters in the 900 MHz an optimum temperature

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BLV92

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D076 BLV920 UHF power transistor 1997 Nov 17 Product specification Supersedes data of 1995 Apr 10 Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV920 FEATURES DESCRIPTION Internal input matching to achieve high power gain and NPN silicon planar epitaxial transistor intended for easy design of wideband circuits common emi

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