BLV92. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV92

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 900 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: M118

 Аналоги (замена) для BLV92

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV92 даташит

 ..1. Size:63K  philips
 blv92.pdf pdf_icon

BLV92

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV92 UHF power transistor March 1993 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV92 DESCRIPTION FEATURES N-P-N silicon planar epitaxial transistor primarily intended multi-base structure and emitter-ballasting resistors for for use in mobile radio transmitters in the 900 MHz an optimum temperature

 0.1. Size:89K  philips
 blv920.pdf pdf_icon

BLV92

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D076 BLV920 UHF power transistor 1997 Nov 17 Product specification Supersedes data of 1995 Apr 10 Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV920 FEATURES DESCRIPTION Internal input matching to achieve high power gain and NPN silicon planar epitaxial transistor intended for easy design of wideband circuits common emi

Другие транзисторы: BLV57, BLV59, BLV75-12, BLV80-28, BLV90, BLV90-SL, BLV91, BLV91-SL, 8050, BLV93, BLV94, BLV95, BLV97, BLV98, BLV99, BLW10, BLW11