BLV95 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLV95

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W

Tensión colector-base (Vcb): 36 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 900 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: M118

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BLV95 datasheet

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BLV95

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV958; BLV958FL UHF power transistors Product specification 2000 Nov 02 Supersedes data of 2000 Jan 12 Philips Semiconductors Product specification UHF power transistors BLV958; BLV958FL FEATURES DESCRIPTION Internal input and output matching for easy matching, NPN silicon planar epitaxial transistors primarily intended high gain and efficiency

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BLV95

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV950 UHF push-pull power transistor 1997 Oct 27 Product specification Supersedes data of 1996 Jan 26 Philips Semiconductors Product specification UHF push-pull power transistor BLV950 FEATURES PINNING - SOT262A2 Internal input and output matching for easy matching, PIN SYMBOL DESCRIPTION high gain and efficiency 1 c1 collector 1 Poly-s

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