BLV95 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLV95
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
Tensión colector-base (Vcb): 36 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 900 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: M118
Búsqueda de reemplazo de BLV95
BLV95 Datasheet (PDF)
blv958 fl 5.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV958; BLV958FLUHF power transistorsProduct specification 2000 Nov 02Supersedes data of 2000 Jan 12Philips Semiconductors Product specificationUHF power transistors BLV958; BLV958FLFEATURES DESCRIPTION Internal input and output matching for easy matching, NPN silicon planar epitaxial transistors primarily intendedhigh gain and efficiency
blv950.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV950UHF push-pull power transistor1997 Oct 27Product specificationSupersedes data of 1996 Jan 26Philips Semiconductors Product specificationUHF push-pull power transistor BLV950FEATURES PINNING - SOT262A2 Internal input and output matching for easy matching,PIN SYMBOL DESCRIPTIONhigh gain and efficiency1 c1 collector 1 Poly-s
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: BCW22K | KRC153F



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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