BLV95 Todos los transistores

 

BLV95 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLV95
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 36 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 900 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: M118

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BLV95 Datasheet (PDF)

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 blv958 fl 5.pdf

BLV95 BLV95

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV958; BLV958FLUHF power transistorsProduct specification 2000 Nov 02Supersedes data of 2000 Jan 12Philips Semiconductors Product specificationUHF power transistors BLV958; BLV958FLFEATURES DESCRIPTION Internal input and output matching for easy matching, NPN silicon planar epitaxial transistors primarily intendedhigh gain and efficiency

 0.2. Size:109K  philips
 blv950.pdf

BLV95 BLV95

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV950UHF push-pull power transistor1997 Oct 27Product specificationSupersedes data of 1996 Jan 26Philips Semiconductors Product specificationUHF push-pull power transistor BLV950FEATURES PINNING - SOT262A2 Internal input and output matching for easy matching,PIN SYMBOL DESCRIPTIONhigh gain and efficiency1 c1 collector 1 Poly-s

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