BLV95. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV95

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 900 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: M118

 Аналоги (замена) для BLV95

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV95 даташит

 0.1. Size:97K  philips
 blv958 fl 5.pdf pdf_icon

BLV95

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV958; BLV958FL UHF power transistors Product specification 2000 Nov 02 Supersedes data of 2000 Jan 12 Philips Semiconductors Product specification UHF power transistors BLV958; BLV958FL FEATURES DESCRIPTION Internal input and output matching for easy matching, NPN silicon planar epitaxial transistors primarily intended high gain and efficiency

 0.2. Size:109K  philips
 blv950.pdf pdf_icon

BLV95

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV950 UHF push-pull power transistor 1997 Oct 27 Product specification Supersedes data of 1996 Jan 26 Philips Semiconductors Product specification UHF push-pull power transistor BLV950 FEATURES PINNING - SOT262A2 Internal input and output matching for easy matching, PIN SYMBOL DESCRIPTION high gain and efficiency 1 c1 collector 1 Poly-s

Другие транзисторы: BLV80-28, BLV90, BLV90-SL, BLV91, BLV91-SL, BLV92, BLV93, BLV94, TIP127, BLV97, BLV98, BLV99, BLW10, BLW11, BLW12, BLW13, BLW14